低温poly-Si TFTのホットキャリヤ効果による相互コンダクタンス,及びしきい値電圧の劣化―LDD構造,及びSD(シングルドレーン)構造TFTの比較― - I-Scover metadata
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低温poly-Si TFTのホットキャリヤ効果による相互コンダクタンス,及びしきい値電圧の劣化―LDD構造,及びSD(シングルドレーン)構造TFTの比較―

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